製品情報
■LS3000特徴
1. 高密度ラジカルソース
・誘導結合による高密度プラズマ：ICP
・広いプロセスウィンドウ
・プラズマ内無電極により、コンタミネーション フリー
2. 高速チューニング
・周波数自動調整による電子チューニング（30ミリ秒以内）
・機械駆動部なし＝故障なし
・プロセス変動にも最小時間で最適化
3. RF電源とプラズマ発生部が一体化
・シンプル、コンパクト、軽量
・優れた操作性 :ただSwitch On! するだけ
・容易に据付できる: Plug-and-Play
・メンテナンスが容易
・低CoO（電気、冷却水だけで運転可能）
■用途
・ライトエッチング
・アッシング
・Si深掘
・テクスチャリング
・表面改質 (Nitridation, Oxidation)
・ウェハ クリーニング
・PECVD
・チャンバー クリーニング
・その他
■仕様
●使用可能なプロセスガス
・ハロゲン化合物ガス(CxFy, CxHyFz, SF6，NF3)
・H2, O2，N2， H2O , NH3, Ar*, He*
*100% Ar、100% He は使用不可。
●プラズマ点火圧力範囲
・標準 tuning ：67～266Pa （0.5～2.0Torr）
・低圧 tuning ：6.7～67Pa （0.05～0.5Torr）
●RF Generator
・出力 : 300～3000 W
・RF周波数 : 1.8 ～2.2 MHz
※周波数は、適切な負荷マッチングを取るよう、自動的に調整されます。
●入力： AC200V （170～250V） 単相 50／60Hz Maximum 3.6KVA
●ユーザーインターフェイス：
・D-sub 15pin
・Input: RF ON/OFF
RF power Set-point (analog setting：1-10V)
・Status: Temperature OK, Plasma On OK, RF Set-point in OK
●プロセスチャンバー接続部 (真空部接続)：ISO-NW63
●冷却方式： 水冷式
流量： >2Liters/min. 最大圧力： <675kPa
●サイズ ：375mm × 305mm × 245mm （突起部を除く）、重量：約22kg
●使用環境
・動作周囲温度：0～35℃
（但し、空気の流れを妨げないこと、腐食性ガスの無きこと、多量の塵埃の無きこと）
・最大湿度 ：92％ （但し、結露の無きこと）